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La caractéristique vol'tampernaya du passage représente la caractéristique de la diode demi-conductrice au courant direct. Et la caractéristique du passage de collecteur est semblable à la caractéristique de la diode au courant inverse.

À l'augmentation de l'effort sur le passage de collecteur dans lui il y a une multiplication d'avalanche des porteurs de la charge, étant particulièrement de l'ionisation de choc. Ce phénomène et de tunnel, l'effet peuvent provoquer le claquage électrique électrique, qui à l'augmentation du courant peut passer à thermique du passage.

Le courant de la base est inutile et même nuisible. Il est désirable qu'il soit le moins possible. Fait d'habitude les pour-cent du courant de l'émetteur, i.e. et, donc, le courant du collecteur est un peu plus petit seulement que le courant de l'émetteur. I.e. on peut trouver. Notamment pour que le courant soit le moins possible, la base font très fin et diminuent dans elle la concentration des additions, qui définit la concentration des trous. Alors un plus petit nombre sera dans la base avec les trous.

Il faut marquer que l'on peut invertir l'émetteur et le collecteur (un soi-disant régime inverse). Mais dans les transistors, en général, le passage de collecteur se fait avec considérablement par la place, que, puisque la capacité diffusée dans le passage de collecteur, beaucoup, que diffusé à. C'est pourquoi si utiliser l'émetteur à titre du collecteur, le transistor travaillera, mais on peut l'appliquer seulement à considérablement une plus petite capacité qu'est inutile. Si les places des passages sont faites identique (les transistors appellent dans ce cas, chacun des domaines extrêmes peut travailler avec le succès identique à titre de l'émetteur ou le collecteur.

Si la base avait l'épaisseur considérable et la concentration des trous dans elle était grande, la grande partie des électrons du courant, dans la base, avec les trous et ne serait pas arrivée au passage de collecteur. Le courant du collecteur n'augmenterait presque pas aux frais des électrons de l'émetteur, et on observait seulement l'augmentation du courant de la base.

Le courant considérable s'exprime par ce qu'une certaine petite partie de l'effort est mise vers au passage à titre de direct. En conséquence de cela augmente le courant de l'émetteur, et il dans le cas présent et est le courant de part en part.

À l'augmentation de l'injection des porteurs de l'émetteur à la base se passe des porteurs non principaux de la charge dans la base. I.e. l'augmentation de la concentration et de la charge de ces porteurs. Au contraire, à la réduction de l'injection il y a une réduction de la concentration et la charge totale des porteurs non principaux dans elle. Ce procès appellent comme la résorption des porteurs de la charge dans la base.

À l'augmentation considérable de l'effort, le courant augmente rudement et il y a un claquage électrique électrique. Il faut marquer que si, il y a pas trop peu de, à la rupture de la chaîne de la base parfois dans le transistor on peut observer l'augmentation rapide d'avalanche du courant amenant à la surchauffe et la sortie du transistor de l'ordre (si dans la chaîne du collecteur il n'y a pas de résistance limitant l'augmentation le courant. Dans ce cas il y a un procès suivant : la partie de l'effort agissant sur le passage, augmente le courant, et le courant égal à lui, sur le passage de collecteur entre plus de porteurs, sa résistance et l'effort sur lui diminuent et aux frais de cela augmente l'effort sur le passage qu'amène vers encore à l'augmentation du courant, et etc. Pour que de cela ne se passe pas, à l'exploitation des transistors il est interdit la chaîne de la base, si on ne coupe pas l'alimentation de la chaîne du collecteur. Il faut aussi insérer l'alimentation de la chaîne de la base, et ensuite les chaînes du collecteur, mais non au contraire.